KAIST 연구팀, 산화물 수직 채널 트랜지스터 안정성 높이는 절연막 개발
KAIST研究チーム、酸化物垂直チャネルトランジスタの安定性を高める絶縁膜を開発
この記事は 2026年8月24日 のデイリー版に収録
권지민 KAIST 전기및전자공학부 교수 연구팀이 UNIST·연세대 등 국내 연구진과 함께 차세대 메모리 소자인 산화물 수직 채널 트랜지스터(VCT)의 성능과 안정성을 높이는 다층 층간 절연막 구조를 개발했습니다. VCT는 반도체에서 전류가 흐르는 통로인 채널을 수평이 아닌 수직으로 배치해 반도체를 위로 쌓을 수 있도록 한 소자입니다. 채널 소재로 산화물 반도체를 사용하면 누설전류를 줄여 전력 효율을 높일 수 있습니다. 연구팀은 질화규소·이산화규소·질화규소로 구성된 다층 절연막으로 산소가 산화물 반도체 쪽으로 이동하도록 유도해, 산소 공공은 줄이고 금속 전극이 산화되는 것은 억제했습니다. 1000만 회 이상 반복해 동작시킨 뒤에도 문턱전압의 변화는 50밀리볼트 이하에 그쳤습니다. 이 연구는 국제학술지 ’어드밴스드 펑셔널 머티리얼즈’에 5월 20일 실렸고 표지 논문으로 선정됐습니다.
翻訳
KAIST電気及電子工学部の권지민教授の研究チームが、UNISTや延世大など国内の研究陣と共同で、次世代メモリ素子である酸化物垂直チャネルトランジスタ（VCT）の性能と安定性を高める多層層間絶縁膜構造を開発しました。VCTは、半導体で電流が流れる通路である「チャネル」を水平ではなく垂直に配置し、半導体を上に積み上げられるようにした素子です。チャネルの材料に酸化物半導体を使うと、漏れ電流を減らして電力効率を高めることができます。研究チームは、窒化ケイ素・二酸化ケイ素・窒化ケイ素からなる多層絶縁膜で酸素が酸化物半導体の側へ動くように誘導し、酸素空孔を減らす一方、金属電極の方向へは動けないようにして電極の酸化を抑えました。1000万回以上繰り返し動作させた後も、トランジスタがオンになる基準である閾値電圧の変化は50ミリボルト以下にとどまりました。研究チームは従来のシリコン系CMOS半導体と組み合わせてシステム水準の性能も検証し、この成果は国際学術誌「アドバンスト・ファンクショナル・マテリアルズ」に5月20日掲載され、表紙論文にも選ばれました。
単語
- 반도체명사 (名詞)半導体
- 절연막명사 (名詞)絶縁膜
- 누설전류명사 (名詞)漏れ電流
- 문턱전압명사 (名詞)閾値電圧
- 억제하다동사 (動詞)抑える、抑制する
- 유도하다동사 (動詞)誘導する
- 검증하다동사 (動詞)検証する
- 표지 논문명사 (名詞)表紙論文
文法ポイント
-도록〜するように
-도록 は動詞の語幹に付いて、その動作が目指す目的や結果を表します。工学や政策の文章では、ほとんどの文が「何かのためにこう作った」という形になるため、非常によく使われます。この課では 쌓을 수 있도록（積めるように）と 움직이도록（動くように）の二度出てきます。否定は -지 않도록 の形にし、도록 自体を否定しません。
例文: VCT는 채널을 수직으로 배치해 반도체를 위로 쌓을 수 있도록 한 소자입니다.
VCTは、チャネルを垂直に配置して半導体を上に積めるようにした素子です。
N에 달하다 / N에 그치다Nに達する / Nにとどまる
数量の見せ方を決める対の表現です。달하다 は「Nにまで達した」で大きさを、그치다 は「Nにとどまった」で小ささを表します。数字自体は中立で、判断は動詞が担います。この種の信頼性の結果では小さいことが良い結果なので、50ミリボルトの変化には 그쳤습니다 が適切です。どちらも 을/를 ではなく 에 を取ります。
例文: 문턱전압의 변화는 50밀리볼트 이하에 그쳤습니다.
閾値電圧の変化は50ミリボルト以下にとどまりました。
N(으)로 구성되다Nで構成される
N(으)로 구성되다 は、あるものが何からできているかを示します。形は受身で、能動は 구성하다 です。完成したものを先に、部品を後に置くため、技術的な説明に向きます。母音と ㄹ の後は -로、それ以外の子音の後は -으로。近い表現に N(으)로 이루어지다（やや日常的）や、分けることを表す N(으)로 나뉘다 があります。
例文: 연구팀은 질화규소·이산화규소·질화규소로 구성된 다층 절연막을 사용했습니다.
研究チームは、窒化ケイ素・二酸化ケイ素・窒化ケイ素で構成された多層絶縁膜を使いました。