포스텍 연구팀, 세계 최고 수준 p형 페로브스카이트 트랜지스터 개발

POSTECH、世界最高水準のp型ペロブスカイト・トランジスタを開発ネイチャーに掲載

この記事は 2026年8月2日のデイリー版に収録

포스텍 노용영 교수 연구팀이 세계 최고 수준의 p형 페로브스카이트 트랜지스터를 개발해 학술지 ’네이처’에 발표했습니다. p형 트랜지스터 성능을 높이는 일은 과학기술정보통신부가 꼽은 ‘반도체 분야 10대 미래 난제’ 중 하나였습니다. 페로브스카이트 반도체는 표면에 남은 주석 이온이 공기 중에서 산화되고, 이로 인해 성능이 순식간에 떨어졌습니다. 연구팀은 표면에 칼륨 아세테이트를 처리해 주석 이온을 날려 보냈고, 그 자리에 생긴 칼륨 아이오다이드가 ’자가방어층’이 되었습니다. 기존 소자는 공기 중에서 몇 분 만에 무너졌지만, 새 소자는 4시간 넘게 버텼고 섭씨 100도에서도 한 달 이상 초기 성능을 유지했습니다. 노 교수에 따르면 이 기술은 차세대 디스플레이 구동 회로와 웨어러블 기기 등에 쓰일 것입니다.

翻訳

POSTECHのノ・ヨンヨン教授の研究チームが、世界最高水準のp型ペロブスカイト・トランジスタを開発し、学術誌「ネイチャー」に発表しました。p型トランジスタの性能を高めることは、科学技術情報通信部が挙げた「半導体分野の10大未来難題」の一つでした。ペロブスカイト半導体は、表面に残ったスズイオンが空気中で酸化され、それによって性能が一瞬で落ちてしまっていました。研究チームは表面に酢酸カリウムを処理してスズイオンを飛ばし、その場所にできたヨウ化カリウムが「自己防御層」になりました。従来の素子は空気中で数分のうちに壊れましたが、新しい素子は4時間以上持ちこたえ、摂氏100度でも1か月以上初期性能を維持しました。ノ教授によると、この技術は次世代ディスプレーの駆動回路やウェアラブル機器などに使われる見通しです。